• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:

    公开号:WO1985002420A1
    申请号:PCT/EP1984/000365
    申请日:1984-11-22
    公开日:1985-06-06
    发明作者:Herbert Knothe；Klaus Röschmann
    申请人:Teldec Schallplatten Gmbh；
    IPC主号:G11B3-00
    专利说明:
    [0001] Verfahren zur Herstellung eines Schneidträgers
    [0002] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Schneidträgers, insbesondere für Schallaufzeichnungen, nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
    [0003] Es ist bekannt (DE PS 28 11 888 und DE-OS 31 14 131), zur Herstellung von Bild- und Schallplatten, Metallträger mit einer Rillenmodulation zu versehen. Dabei wird zunächst in einem Kupferbad galvanisch eine dünne Schicht aus Kupfer auf ein Substrat aus Aluminium, Edelstahl oder dergl. aufgebracht und die Rillenmodulation anschließend mittels eines über den Metallträger geführten Schneidstichels elektromechanisch in die Schicht aus Kupfer eingeschnitten. Das galvanische Bad ist dabei so bemessen, daß die Schicht aus hat, Kupfer eine Vickershärte zwischen 110 bis 300, weil sich für diesen Härtebereich optimale Schneidfähigkeit ergeben hat. Weicheres Kupfer mit einer Härte von z.B. 90 HV führt zu verschmierten Aufzeichnungen, härtres Kupfer hat einen zu hohen Schneidwiderstand. Eine größere Härte des abgeschiedenen Kupfers wird insbesondere durch organische Badbestandteile wie Glanzzusätze erreicht. Bei dem bekannten Verfahren werden die Glanzzusätze und die Badbedingungen so bemessen, daß sich ein Härtebereich von 160 bis 220 HV ergibt. Dabei wird ein rekristallisierbares Kupfer abgeschieden, daß sich also in einer instabilen Phase befindet. Der Bereich dieser instabilen Phase des Kupfers erstreckt sich von einer durch das Bad vorbestimmten Anfangshärte bis zu einem vom Bad praktisch unabhängigen Mindestwert der Härte. In diesem Bereich hat das Kupfer eine optimale Härte mit gleichzeitiger Duktilitat und Verspanungseigenschaften erreicht, die Voraussetzung für ein gutes Schneidverhalten ist. Wenn beim Schneiden der Rillenmodulation in einen solchen Kupferschnefdträger der Schneidstichel unter einem Anstellwinkel über die Metalloberfläche geführt wird, der für die jeweilige Kupferbeschaffenheit und die gewünschte Schneidtiefe vorbestimmt ist und z.B. zwischen 10° und 20° liegt, ergibt das bekannte Verfahren einen Kupfermaster, der bei Schallaufzeichnungen einem herkömmlichen Master mit einer Lackaufzeichnung deutlich überlegen ist. Es hat sich nämlich gezeigt, daß gegenüber einer Lackaufzeichnung nicht nur der Ausschuß reduziert wird, sondern zusätzlich noch die Qualität der Aufzeichnung verbessert wird, z.B. der Störabstand um etwa 10 dB. Ferner haben Schallplatten nach der Kupferschnittechnik keine Vor- oder Nachechos, die bei einer herkömmlichen Lackaufzeichnung nicht zu vermeiden waren. Außerdem entfallen praktisch Blasen, Lufteinschlüsse, Lunker oder dergleichen. Für die Herstellung von Metallpositiven oder Negativen, wie z.B. Müttern zur Herstellung der endgültigen Aufzeichnungsträger, ist keine komplizierte Versilberung mehr erforderlich. Der geschnittene Aufzeichnungsträger (Master) ist unbegrenzt lagerfähig, es lassen sich jederzeit weitere Abzüge herstellen.
    [0004] Es hat sich jedoch gezeigt, daß bei dem soweit beschriebenen Verfahren die für die Qualität und Durchführbarkeit des Schneidvorganges notwendige Rekriställisationsphase des auf dem Substrat abgeschiedenen Kupfers zeitlich begrenzt ist. Diese zeitliche Begrenzung verhindert die an sich erwünschte Lagerhaltung solcher ungeschnittener Kupferschneidträger und verursacht dadurch Schwierigkeiten im Studiobetrieb, weil die Schneidbarkeitsdauer der Kupferschneidträger nach ihrer galvanischen Herstellung relativ kurz ist. Man hat zwar die Dauer der Rekristallisationsphase durch Kühlung der Kupferschneidträger verlängert, doch reicht diese Maßnahme nicht immer aus.
    [0005] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Schneidbarkeitszeit solcher Kupferschneidträger durch andere und ggf zusätzliche Maßnahmen als Kühlung zu verlängern.
    [0006] Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 gekennzeichnete Erfindung gelöst. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.
    [0007] Im Prinzip wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß dem galvanischem Bad Stoffe zugesetzt werden, die zwar mit in den Niederschlag eingebaut werden, jedoch nicht als Kornverfeinerer oder Härtebildner wirken. Mit Art und Menge, der dieser Erfindung zugrundeliegenden Zusätze wird überwiegend das Rekristallisationsverhalten und nicht die Härte beeinflußt.
    [0008] Für die Härte der Niederschläge ist zum überwiegenden Teil der Glanzzusatz verantwortlich über den man auch eine für das Schneiden optimale Härte einstellen kann.
    [0009] Es hat sich als vorteilhaft erwiesen dem Bad Stoffe zuzusetzen die gleichzeitig eine einebnende Wirkung im Niederschlag hervorrufen (sogen. Einebner organischer Art).
    [0010] Diese Einebner werden fest in das Kupfergefüge eingebaut und verhindern die Bildung großkerniger Kristallite. Weiterhin ist es möglich durch Einbau von Arsen, Antimon und Wismut die Beweglichkeit im Kupfergefüge zu stören, sodaß ebenfalls die Bildung größerer Kristallite, was gleichbedeutend ist mit Rekristallisation, verhindert wird. Auch sind diese Elemente in ihrem Verhalten zu den wanderungsbestrebten Kupferatomen wesentlich stabiler als die organischen Badzusätze. Sie werden weder wie diese umwandert noch durchstoßen. Für ein galvanisches Bad zur Herstellung eines Schneidträgers mit rekristallisierbarem Kupfer hat sich die Zusammensetzung bewährt, die in der DE - OS - 31 14 131 angegeben wird.
    [0011] Die dort genannten Hinweise gelten auch für dad hier beschriebene Verfahren. Darüber hinaus werden dem Bad beispielsweise zugesetzt:
    [0012] 0,05 - 0,5 ml/1 N,N Phenylmethylcarbamidemethylene diäthyldithiocarbamine
    [0013] (C15 H2 3N 353) Mol.Gew. 341
    [0014] 0,1 - 1 ml/1 Farbstoffe mit kationischen
    [0015] N - Verbindungen diese Zusätze bewirken eine Rekristallisationszeitverlängerung von 20 Min. auf 7 Stunden (gemessen bei 100ºC) bei gleichbleibender Härte bzw. geringfügiger Härtesteigerung. Bei weiterer Steigerung der Zusätze (Einebner) können Niederschläge erzeugt werden, die nicht mehr rekristallisieren. Ebenso hat sich gezeigt, daß Zusätze von beispielsweise
    [0016] 50 - 200 mg/1 Antimonfluorid eine Verlängerung der Rekristallisationszeit bewirken. Das gleiche gilt für Wismut und Arsen.
    权利要求:
    ClaimsPatentansprüche
    1. Verfahren zur Herstellung eines insbesondere für Schallaufzeichnungen bestimmten Schneidträgers mit einer schneidfähigen auf einem Substrat abgeschiedenen Kupferschicht, die durch die Zusammensetzung des Bades, der Konvektion und der Stromdichte im galvanischen Bad rekristallisierende Eigenschaften aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß dem Bad zur Verlängerung der Rekristallisationszeit Stoffe zugesetzt werden, die durch den Einbau ins Cu - Gefüge dieses so stabilisieren, daß eine Rekristallisation verhindert oder verzögert wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Bad organische Stoffe zugesetzt werden, die durch den Einbau in den Niederschlag keine oder nur geringe Erhöhung der Härte zur Folge haben, jedoch die Rekristallisation verzögern.
    3. Verfahren nach Anspruch l dadurch gekennzeichnet, daß anorganische Stoffe zugesetzt werden, deren Abscheidungspotentiale dem Kupfer so angepasst sind, daß nur geringe Mengen dieser Elemente abgeschieden werden.
    4. Verfahren nach Anspruch 1 - 3. dadurch gekennzeichnet, daß Arsen und/oder Wismut, Antimon zusätzlich beigemengt werden.
    5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 4, dadurch gekennzeichnet, daß dem Bad nur so geringe Mengen zugesetzt werden, daß diese Elemente innerhalb des Kupfergefüges so fein verteilt sind, daß sie kein eigenes Kristallgitter bilden können.
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    CN100339900C|2007-09-26|光信息记录用铝合金反射膜及其形成用靶材、记录介质
    US7338631B2|2008-03-04|Copper alloy and method of manufacturing the same
    KR100510568B1|2005-08-26|광기록방법 및 광기록매체
    EP0175183B1|1991-03-27|Kupferlegierungen mit Festigkeits- und Leitfähigkeitseigenschaften
    EP0445684B1|1995-09-27|Hochfeste, warmfeste Legierungen auf Aluminiumbasis
    US5174886A|1992-12-29|High-throw acid copper plating using inert electrolyte
    EP1467351B1|2007-01-10|Optisches Aufzeichnungsmedium, Verfahren zu dessen Herstellung und Verfahren und Vorrichtung zum Aufzeichnen auf oder Lesen von diesem Medium
    EP0969108B1|2002-08-07|Legierung für Gitter in Bleiakkumulatoren
    KR100729005B1|2007-06-14|복합 구리 포일 및 그의 제조방법
    US6863441B2|2005-03-08|Sliding member
    EP0317193B1|1995-06-14|Optisches Plattenspeichersystem
    EP0309080A1|1989-03-29|Verfahren zur Überwachung eines chemischen Metalisierungsbades
    EP1736558A1|2006-12-27|Silberlegierung für einen reflexionsfilm
    JP5325472B2|2013-10-23|磁気ディスク用アルミニウム合金基板およびその製造方法
    JP4379602B2|2009-12-09|半透明反射膜または反射膜を構成層とする光記録媒体および前記反射膜の形成に用いられるＡｇ合金スパッタリングターゲット
    US6663758B2|2003-12-16|Method and apparatus for producing electrolytic copper foil
    DE4433097C2|1996-09-05|Verfahren zum Herstellen einer lichtabsorbierenden Schicht einer Solarzelle
    EP1526523A3|2005-05-18|Phasenwechselaufzeichnung mit Schicht zur Verbesserung der Kristallisation
    US4311522A|1982-01-19|Copper alloys with small amounts of manganese and selenium
    EP0674725B1|1998-12-02|Beschichtung mit amorphem und mikrokristallinem nickel-wolfram durch elektroplattierung
    CH647269A5|1985-01-15|Plattierungsloesung fuer die ablagerung einer palladium/nickel-legierung.
    US4469566A|1984-09-04|Method and apparatus for producing electroplated magnetic memory disk, and the like
    EP1785505B1|2009-09-02|Barrierefilm für flexbilbes kupfersubstrat und sputtertarget zur bildung eines barrierefilms
    US8197661B1|2012-06-12|Method for fabricating sputter targets
    US4628165A|1986-12-09|Electrical contacts and methods of making contacts by electrodeposition
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    EP0164376B1|1989-01-25|
    US4640745A|1987-02-03|
    EP0164376A1|1985-12-18|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1985-06-06| AK| Designated states|Designated state(s): JP US |
    1985-06-06| AL| Designated countries for regional patents|Designated state(s): AT BE CH DE FR GB LU NL SE |
    1985-07-26| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1985900082 Country of ref document: EP |
    1985-12-18| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1985900082 Country of ref document: EP |
    1989-01-25| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1985900082 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    DEP3342286.9||1983-11-23||
    DE3342286||1983-11-23||AT85900082T| AT40418T|1983-11-23|1984-11-22|Verfahren zur herstellung eines schneidtraegers.|
    DE19843476427| DE3476427D1|1983-11-23|1984-11-22|Process for producing a recording medium|
    [返回顶部]